GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7UEWIGY

GD5F2GM7UEWIGY - Mémoire flash NAND SPI 2 Gbit haute performance

Le GD5F2GM7UEWIGY de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND SPI 2 Gbit haute fiabilité, conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution de mémoire avancée offre des performances exceptionnelles grâce à son interface SPI à quatre E/S et sa compatibilité DTR (Double Transfer Rate), permettant des transferts de données rapides à des fréquences d'horloge jusqu'à 133 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour les systèmes embarqués et les applications d’enregistrement de données.
• Performances rapides : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 7 ns garantissent des opérations de lecture/écriture rapides.
• Interface avancée : l’ interface SPI Quad avec prise en charge DTR maximise le débit tout en minimisant le nombre de broches.
• Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels et automobiles.
• Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
• Boîtier compact : le boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
• Performances fiables : la technologie SLC NAND garantit une endurance et une conservation des données supérieures

Applications idéales

Cette mémoire flash NAND est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'informatique de périphérie IoT, le stockage de firmware, le stockage de code de démarrage et les systèmes d'enregistrement de données.

Spécifications techniques

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