GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.22 | Dhs. 13.22 |
| 15+ | Dhs. 12.82 | Dhs. 192.30 |
| 25+ | Dhs. 12.55 | Dhs. 313.75 |
| 50+ | Dhs. 11.85 | Dhs. 592.50 |
| 100+ | Dhs. 10.46 | Dhs. 1,046.00 |
| N+ | Dhs. 2.09 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD5F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 104 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 600 µs |
| Temps d'accès | 9 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
GD5F2GQ5UEYIGY - Mémoire flash NAND SPI 2 Gbit haute performance
La mémoire GD5F2GQ5UEYIGY de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire flash NAND SPI 2 Gbit haute fiabilité, conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Dotée d'une interface SPI Quad E/S cadencée à 104 MHz, cette mémoire offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles tout en maintenant une faible consommation d'énergie sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 2 Gbit (256 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données et du code.
- Interface E/S quadruple SPI rapide : la fréquence d'horloge de 104 MHz permet un transfert de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique des systèmes embarqués et alimentés par batterie.
- Technologie NAND SLC : l’architecture à cellule unique offre une endurance et une rétention des données supérieures.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 8-WSON (6 x 8 mm) minimise l’espace requis sur le circuit imprimé.
Applications idéales
Cette mémoire flash NAND est parfaitement adaptée aux contrôleurs industriels, aux systèmes d'infodivertissement automobiles, aux appareils IoT, aux équipements médicaux, aux infrastructures de télécommunications et à tout système embarqué nécessitant un stockage de données non volatiles et à haute vitesse avec une fiabilité à long terme.
Spécifications techniques
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