GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGR
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Dhs. 17.04
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Dhs. 17.94
Prix promotionnel
Dhs. 17.04
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.04 | Dhs. 17.04 |
| 15+ | Dhs. 16.50 | Dhs. 247.50 |
| 25+ | Dhs. 16.15 | Dhs. 403.75 |
| 50+ | Dhs. 15.25 | Dhs. 762.50 |
| 100+ | Dhs. 13.46 | Dhs. 1,346.00 |
| N+ | Dhs. 2.69 | Price Inquiry |
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GigaDevice GD5F4GQ4RBYIGR - Circuit intégré de mémoire flash NAND SPI 4 Gbit
Le GD5F4GQ4RBYIGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire flash NAND 4 Gbit hautes performances doté d'une interface SPI Quad E/S pour un transfert de données rapide à 120 MHz. Avec une organisation mémoire de 512 Mbits x 8 et une large plage de tension de fonctionnement (1,7 V à 2 V), cette mémoire flash à montage en surface est idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications nécessitant un stockage non volatil fiable.
Caractéristiques principales :
- Capacité de stockage de 4 Gbit (512 Mo) – Mémoire suffisante pour les systèmes embarqués et l'enregistrement de données.
- Interface d'E/S quadruple SPI - Communication série haute vitesse jusqu'à 120 MHz
- Large plage de températures - Fonctionnement de qualité industrielle de -40 °C à 85 °C
- Fonctionnement à basse tension - Alimentation de 1,7 V à 2 V pour des conceptions économes en énergie
- Boîtier compact 8-WSON - Encombrement réduit de 6 x 8 mm pour montage en surface
- Conforme à la norme RoHS - Construction écologique et sans plomb
Soutenu par un stock de distributeur agréé avec documentation complète du fabricant, traçabilité et disponibilité sur une longue durée de vie pour soutenir vos programmes d'intégration critiques et atténuer les risques d'obsolescence.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
| RoHS |  |
GD5F4GQ4RBYIGR.pdf
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