GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RCYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.93 | Dhs. 16.93 |
| 15+ | Dhs. 16.40 | Dhs. 246.00 |
| 25+ | Dhs. 16.05 | Dhs. 401.25 |
| 50+ | Dhs. 15.16 | Dhs. 758.00 |
| 100+ | Dhs. 13.37 | Dhs. 1,337.00 |
| N+ | Dhs. 2.67 | Price Inquiry |
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GD5F4GQ4RCYIGR - Mémoire flash NAND SPI 4 Gbit haute performance
La mémoire flash NAND SPI GD5F4GQ4RCYIGR de GigaDevice est une solution haute densité de 4 Gbits conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage fiable et non volatil. Dotée d'une interface SPI à quatre entrées/sorties cadencée à 120 MHz, cette mémoire offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles dans un boîtier compact 8-WSON.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 4 Gbit (512 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, de l’enregistrement des données et des applications.
- Performances rapides : l'interface SPI Quad E/S avec une fréquence d'horloge de 120 MHz permet un transfert de données rapide.
- Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique pour les applications portables et alimentées par batterie.
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels et automobiles.
- Encombrement réduit : Boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) compact avec pastille thermique exposée pour des performances thermiques améliorées.
- Conforme à la directive RoHS : construction écologique sans plomb répondant aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Idéal pour les appareils IoT, les contrôleurs industriels, les systèmes automobiles, l'électronique grand public, les enregistreurs de données, les systèmes embarqués et toute application nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable avec compatibilité d'interface SPI.
Pourquoi choisir GigaDevice ?
GigaDevice Semiconductor est un fabricant de premier plan de solutions de mémoire hautes performances, garantissant une fiabilité éprouvée et une disponibilité produit à long terme pour les applications critiques. Distributeur agréé, nous fournissons des composants authentiques avec une traçabilité complète et un support technique.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
| RoHS |  |
GD5F4GQ4RCYIGR.pdf