GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F2ALGI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.18 | Dhs. 9.18 |
| 15+ | Dhs. 8.89 | Dhs. 133.35 |
| 25+ | Dhs. 8.69 | Dhs. 217.25 |
| 50+ | Dhs. 8.21 | Dhs. 410.50 |
| 100+ | Dhs. 7.25 | Dhs. 725.00 |
| N+ | Dhs. 1.45 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD9F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 30 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-FBGA (9x11) |
GD9FS1G8F2ALGI - Mémoire flash NAND haute performance de 1 Gbit
Le GD9FS1G8F2ALGI de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND 1 Gbit haut de gamme, conçu pour les systèmes embarqués critiques exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Ce composant mémoire de qualité industrielle utilise la technologie NAND SLC (Single-Level Cell), offrant une endurance et une rétention des données supérieures pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de stockage de 1 Gbit : l’organisation en 128 Mo x 8 offre un espace suffisant pour le firmware, l’enregistrement des données et les configurations système.
- Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 30 ns et un temps de cycle d'écriture de 45 ns garantissent des opérations de lecture/écriture rapides.
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 63-VFBGA (9 x 11 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable, notamment les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les systèmes aérospatiaux où l'intégrité des données et la fiabilité à long terme sont primordiales.
Pourquoi choisir les solutions de mémoire GigaDevice ?
GigaDevice Semiconductor fournit des composants de mémoire de qualité industrielle, reconnus pour leur fiabilité éprouvée, leurs tests de qualification approfondis et leur longue durée de vie. Chaque composant fait l'objet d'un contrôle qualité rigoureux afin de répondre aux exigences des applications critiques.
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