GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F2DLGI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.51 | Dhs. 9.51 |
| 15+ | Dhs. 9.20 | Dhs. 138.00 |
| 25+ | Dhs. 9.00 | Dhs. 225.00 |
| 50+ | Dhs. 8.50 | Dhs. 425.00 |
| 100+ | Dhs. 7.50 | Dhs. 750.00 |
| N+ | Dhs. 1.50 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD9F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | ONFI |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns, 600 µs |
| Temps d'accès | 16 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-FBGA (9x11) |
GD9FS1G8F2DLGI - Mémoire flash NAND SLC 1 Gbit haute fiabilité
La mémoire GD9FS1G8F2DLGI de GigaDevice Semiconductor offre une fiabilité et des performances exceptionnelles pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel et des télécommunications. Cette mémoire flash NAND SLC (Single-Level Cell) de 1 Gbit est dotée d'une interface ONFI et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l'organisation de la mémoire de 1 Gbit (128 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour les systèmes embarqués.
- Technologie NAND SLC : endurance et rétention des données supérieures aux alternatives MLC/TLC
- Interface ONFI : Interface standard de l’industrie assurant une large compatibilité avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Performances rapides : temps d’accès de 16 ns, écriture de mots en 20 ns et cycles d’écriture de pages en 600 µs.
- Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système flexible.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les applications en environnements difficiles
- Boîtier compact : le boîtier CMS 63-FBGA (9 x 11 mm) optimise l’espace sur la carte.
Applications idéales
Cette mémoire flash de qualité industrielle est conçue pour les applications exigeantes, notamment les systèmes avioniques, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et les systèmes d'enregistrement de données critiques où la fiabilité et la longévité sont primordiales.
Spécifications techniques
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