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25+ Dhs. 8.43 Dhs. 210.75
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD9F
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 25 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 63-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 63-FBGA (9x11)

GigaDevice GD9FU1G8F2ALGI - Mémoire flash NAND haute performance de 1 Gbit

Le GD9FU1G8F2ALGI de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND 1 Gbit haut de gamme, conçu pour les systèmes embarqués critiques exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Ce composant mémoire de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 20 ns et un temps de cycle d'écriture de 25 ns, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 1 Gbit (128 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le micrologiciel, l’enregistrement de données et les applications embarquées.
  • Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), idéal pour les environnements difficiles.
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V permet de s’adapter à différentes configurations de systèmes.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 63-FBGA (9 x 11 mm) optimise l’espace sur la carte.
  • Technologie NAND SLC : L’architecture à cellule unique garantit une fiabilité et une endurance supérieures

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes embarqués et dispositifs IoT
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Électronique automobile et infodivertissement
  • stockage de données sur les équipements médicaux
  • Infrastructure de télécommunications
  • applications aérospatiales et de défense
  • enregistreurs de données et boîtes noires

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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de qualité industrielle, garantissant authenticité et fiabilité. Notre vaste gamme de mémoires comprend des solutions haut de gamme de mémoires Flash NAND, Flash NOR, DRAM, SRAM et EEPROM provenant des plus grands fabricants mondiaux.

Nous comprenons l'importance cruciale des composants de mémoire dans les applications critiques. Chaque unité GD9FU1G8F2ALGI que nous fournissons bénéficie d'une traçabilité complète, d'une manipulation appropriée et d'une assurance qualité afin de répondre aux exigences strictes de votre projet.

Ressources et assistance techniques

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