GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU1G8F2ALGI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.92 | Dhs. 8.92 |
| 15+ | Dhs. 8.62 | Dhs. 129.30 |
| 25+ | Dhs. 8.43 | Dhs. 210.75 |
| 50+ | Dhs. 7.96 | Dhs. 398.00 |
| 100+ | Dhs. 7.03 | Dhs. 703.00 |
| N+ | Dhs. 1.41 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD9F |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 25 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 63-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 63-FBGA (9x11) |
GigaDevice GD9FU1G8F2ALGI - Mémoire flash NAND haute performance de 1 Gbit
Le GD9FU1G8F2ALGI de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NAND 1 Gbit haut de gamme, conçu pour les systèmes embarqués critiques exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Ce composant mémoire de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 20 ns et un temps de cycle d'écriture de 25 ns, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 1 Gbit (128 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le micrologiciel, l’enregistrement de données et les applications embarquées.
- Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA), idéal pour les environnements difficiles.
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V permet de s’adapter à différentes configurations de systèmes.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 63-FBGA (9 x 11 mm) optimise l’espace sur la carte.
- Technologie NAND SLC : L’architecture à cellule unique garantit une fiabilité et une endurance supérieures
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire flash NAND est parfaitement adapté pour :
- Systèmes embarqués et dispositifs IoT
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- stockage de données sur les équipements médicaux
- Infrastructure de télécommunications
- applications aérospatiales et de défense
- enregistreurs de données et boîtes noires
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Ressources et assistance techniques
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GD9FU1G8F2ALGI - Circuit intégré de mémoire flash NAND 1 Gbit | GigaDevice 63-FBGA.pdf