Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 7.83
Prix habituel Dhs. 8.24 Prix promotionnel Dhs. 7.83
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 7.83 Dhs. 7.83
15+ Dhs. 7.58 Dhs. 113.70
25+ Dhs. 7.42 Dhs. 185.50
50+ Dhs. 7.00 Dhs. 350.00
100+ Dhs. 6.18 Dhs. 618.00
N+ Dhs. 1.24 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

IDT71016S12PHI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

L' IDT71016S12PHI8 est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 1 mégabit, fabriqué par Renesas Electronics Corporation. Il est conçu pour les systèmes embarqués et les applications électroniques industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable aux performances exceptionnelles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les interfaces de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels et automobiles.
  • Fonctionnement sous tension standard : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V compatible avec les systèmes 5 V anciens et modernes.
  • Boîtier compact : boîtier CMS 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) idéal pour les circuits imprimés compacts.
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire grâce à une architecture de bus parallèle standard pour une intégration transparente.

Applications idéales

Cette SRAM haute vitesse est parfaitement adaptée aux contrôleurs embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements de télécommunications, aux systèmes d'acquisition de données, à la mémoire de configuration FPGA, aux applications de mémoire cache et aux systèmes de traitement en temps réel où des cycles de lecture/écriture rapides sont essentiels.

Garantie de qualité et d'authenticité

Chez HQICKEY, nous fournissons exclusivement des composants semi-conducteurs Renesas authentiques, garantissant une traçabilité complète et une disponibilité tout au long de leur cycle de vie. Chaque circuit intégré IDT71016S12PHI8 est accompagné d'un support technique dédié pour accompagner les équipementiers et les intégrateurs de systèmes tout au long des phases de conception et de production.

Spécifications techniques complètes

Ressources connexes

Explorez notre vaste sélection de circuits intégrés de mémoire et de composants semi-conducteurs pour vos projets d'électronique embarquée et industrielle. Consultez notre page d'accueil HQICKEY pour découvrir notre catalogue complet de composants électroniques authentiques, avec livraison internationale. Restez informé des dernières tendances, guides techniques et nouveautés produits grâce à notre blog Actualités et Technique .

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II