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Présentation du produit

L' IDT71124S12YGI est une solution de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit de Renesas Electronics Corporation, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Ce composant de mémoire volatile offre une fiabilité et une vitesse exceptionnelles, avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un accès et un traitement rapides des données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 12 ns et un temps de cycle d’écriture de 12 ns garantissent une latence minimale pour les opérations critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128K x 8 offre une structure de données optimale pour les applications orientées octets.
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire via une architecture de bus parallèle pour un débit maximal
  • Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
  • Large plage de tension d'alimentation : compatibilité avec les tensions d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration système polyvalente.
  • Conception compacte : le boîtier CMS 32-SOJ compact (largeur de 10,16 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.

Spécifications techniques

Cette mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit (128 Ko x 8) avec architecture d'interface parallèle offre des performances déterministes sans nécessiter de synchronisation d'horloge. Fonctionnant de manière fiable sur une large plage de températures industrielles tout en maintenant un temps d'accès constant de 12 ns, elle est idéale pour les applications embarquées temps réel, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les systèmes d'acquisition de données à haute vitesse.

Applications

Idéal pour les systèmes de contrôle de vol aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements d'imagerie médicale, les infrastructures de télécommunications, les plateformes informatiques embarquées et toute application exigeant une mémoire volatile rapide et fiable avec des spécifications de qualité industrielle.

Qualité et conformité

Fabriqué par Renesas Electronics Corporation, leader mondial des solutions semi-conducteurs, ce composant répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications professionnelles et industrielles. Son boîtier CMS 32-BSOJ garantit un assemblage automatisé fiable et une stabilité mécanique à long terme.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ