Renesas Electronics Corporation IDT71124S12YGI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.30 | Dhs. 10.30 |
| 15+ | Dhs. 9.96 | Dhs. 149.40 |
| 25+ | Dhs. 9.75 | Dhs. 243.75 |
| 50+ | Dhs. 9.21 | Dhs. 460.50 |
| 100+ | Dhs. 8.12 | Dhs. 812.00 |
| N+ | Dhs. 1.62 | Price Inquiry |
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Présentation du produit
L' IDT71124S12YGI est une solution de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit de Renesas Electronics Corporation, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Ce composant de mémoire volatile offre une fiabilité et une vitesse exceptionnelles, avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un accès et un traitement rapides des données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 12 ns et un temps de cycle d’écriture de 12 ns garantissent une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128K x 8 offre une structure de données optimale pour les applications orientées octets.
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire via une architecture de bus parallèle pour un débit maximal
- Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- Large plage de tension d'alimentation : compatibilité avec les tensions d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration système polyvalente.
- Conception compacte : le boîtier CMS 32-SOJ compact (largeur de 10,16 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
Spécifications techniques
Cette mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit (128 Ko x 8) avec architecture d'interface parallèle offre des performances déterministes sans nécessiter de synchronisation d'horloge. Fonctionnant de manière fiable sur une large plage de températures industrielles tout en maintenant un temps d'accès constant de 12 ns, elle est idéale pour les applications embarquées temps réel, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les systèmes d'acquisition de données à haute vitesse.
Applications
Idéal pour les systèmes de contrôle de vol aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements d'imagerie médicale, les infrastructures de télécommunications, les plateformes informatiques embarquées et toute application exigeant une mémoire volatile rapide et fiable avec des spécifications de qualité industrielle.
Qualité et conformité
Fabriqué par Renesas Electronics Corporation, leader mondial des solutions semi-conducteurs, ce composant répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications professionnelles et industrielles. Son boîtier CMS 32-BSOJ garantit un assemblage automatisé fiable et une stabilité mécanique à long terme.
Produits associés
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOJ |

IDT71124S12YGI.pdf