Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 13.90
Prix habituel Dhs. 14.65 Prix promotionnel Dhs. 13.90
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 13.90 Dhs. 13.90
15+ Dhs. 13.48 Dhs. 202.20
25+ Dhs. 13.19 Dhs. 329.75
50+ Dhs. 12.45 Dhs. 622.50
100+ Dhs. 10.99 Dhs. 1,099.00
N+ Dhs. 2.20 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Renesas IDT71124S12YGI8 - SRAM asynchrone haute vitesse 1 Mbit

La mémoire SRAM IDT71124S12YGI8 de Renesas Electronics est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 1 mégabit conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable avec une interface parallèle asynchrone. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 128 Ko x 8, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications et les applications de mise en mémoire tampon de données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels et automobiles.
  • Alimentation standard : fonctionnement de 4,5 V à 5,5 V, compatible avec les systèmes anciens et modernes.
  • Conception pour montage en surface : le boîtier 32-BSOJ permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
  • Interface parallèle : une interface asynchrone simple réduit la complexité de conception
  • Performances fiables : la technologie SRAM volatile offre une endurance en lecture/écriture illimitée

Applications typiques

  • mémoire cache et tampon du système embarqué
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Équipements de télécommunications et de réseau
  • Instruments médicaux et dispositifs de diagnostic
  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse
  • Extension de mémoire FPGA et ASIC

Spécifications techniques complètes

Qualité et conformité

En tant que distributeur agréé de composants Renesas Electronics, nous fournissons pour chaque commande une documentation complète de traçabilité, les certificats de conformité RoHS/REACH et les fiches techniques du fabricant. Tous les composants proviennent directement de circuits de distribution agréés afin de garantir leur authenticité et leur fiabilité.

Ressources d'aide à la conception

Accédez à une documentation technique complète (fiches techniques, notes d'application, schémas de référence et guides d'intégration) pour accélérer votre processus de conception. Notre équipe technique est à votre disposition pour vous accompagner dans le choix des composants, la vérification de leur compatibilité et vous fournir des recommandations spécifiques à votre application.

Produits et ressources connexes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ