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IDT71256SA12PZ - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

La mémoire IDT71256SA12PZ de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone haute fiabilité de 256 kbits conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel et des télécommunications. Ce circuit intégré mémoire haut de gamme offre des performances exceptionnelles grâce à un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une plage de tension de fonctionnement robuste de 4,5 V à 5,5 V.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 32K x 8 offre une gestion flexible des données
  • Interface parallèle : simplifie l’intégration aux architectures système existantes
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
  • Conception pour montage en surface : le boîtier TSOP 28 broches permet une conception efficace du circuit imprimé et un assemblage automatisé
  • Fiabilité éprouvée : Fabriqué par Renesas, un leader reconnu dans le domaine de l'innovation des semi-conducteurs

Spécifications techniques

Applications

Le contrôleur IDT71256SA12PZ excelle dans les environnements exigeants où la fiabilité et la vitesse sont primordiales :

  • Systèmes de commandes de vol et avionique aérospatiale
  • Systèmes de gestion et de sécurité des moteurs automobiles
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • équipement de diagnostic médical
  • Infrastructure de télécommunications
  • Systèmes d'acquisition de données
  • Plateformes informatiques embarquées

Pourquoi choisir HQICKEY ?

Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de semi-conducteurs haut de gamme et à haute fiabilité pour les applications critiques. Notre vaste gamme de circuits intégrés de mémoire comprend des composants de pointe provenant de fabricants leaders du secteur comme Renesas, garantissant ainsi à vos projets une qualité et des performances éprouvées.

Restez informé des dernières innovations en matière de semi-conducteurs, des tendances du secteur et des analyses techniques en visitant notre blog d'actualités et technique .

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 Kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-TSOP