Renesas Electronics Corporation IDT71256SA15PZ8

IDT71256SA15PZ8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

L' IDT71256SA15PZ8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire vive statique (SRAM) de 256 Kbits à haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle et les applications critiques nécessitant un stockage de données rapide et non volatil avec des caractéristiques de performance exceptionnelles.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 32 Ko x 8 offre un équilibre optimal pour les systèmes orientés octets.
• Fonctionnement asynchrone : simplifie la conception de l’interface sans nécessiter de synchronisation d’horloge.
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec les systèmes anciens et modernes.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
• Boîtier compact : le boîtier CMS 28 TSOP (largeur de 11,80 mm) optimise l'espace disponible sur le circuit imprimé.
• Interface parallèle : architecture de bus parallèle standard pour une intégration simple

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs industriels, aux processeurs embarqués, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache, aux équipements de réseau, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux infrastructures de télécommunications où une mémoire volatile fiable et rapide est essentielle.

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Spécifications techniques

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