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IDT71256SA20PZ - SRAM asynchrone haute vitesse 256 Kbits

La mémoire SRAM IDT71256SA20PZ de Renesas Electronics Corporation est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 256 kbits conçue pour les applications exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Cette SRAM parallèle asynchrone offre une vitesse exceptionnelle avec un temps d'accès de 20 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 32K x 8 offre une gestion flexible des données
  • Interface parallèle fiable : intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité système polyvalente
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
  • Boîtier compact : conception compacte à montage en surface 28-TSOP (largeur de 11,80 mm)

Spécifications techniques

Applications

L'IDT71256SA20PZ est conçu pour les applications critiques nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Unités de commande des moteurs automobiles (ECU) et systèmes de sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Équipements de diagnostic et de surveillance médicale
  • Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
  • Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse
  • Informatique embarquée et systèmes d'exploitation temps réel

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 Kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-TSOP