Renesas Electronics Corporation IDT71256SA20PZ8

L' IDT71256SA20PZ8 est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits, fabriqué par Renesas Electronics Corporation. Cette mémoire SRAM statique fiable offre une organisation de 32 Ko x 8 et un temps d'accès ultrarapide de 20 ns, ce qui la rend idéale pour les applications de systèmes embarqués exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire de 256 Kbits avec une organisation de 32 K x 8
• Temps d'accès rapide de 20 ns pour des opérations de données à haut débit
• Technologie SRAM asynchrone pour une interfaçage simplifié
• Large plage de tension de fonctionnement : 4,5 V à 5,5 V
• Plage de températures industrielles : 0 °C à 70 °C
• Boîtier TSOP 28 broches à montage en surface pour des conceptions de circuits imprimés compactes.
• Interface mémoire parallèle pour une intégration simple

Ce circuit intégré SRAM est idéal pour les applications exigeant un stockage de données rapide, fiable et non volatil dans les systèmes critiques. Son boîtier CMS 28 TSSOP garantit la compatibilité avec les processus d'assemblage automatisés modernes tout en assurant d'excellentes performances thermiques.

Spécifications techniques :

Ressources connexes :

• Explorez notre collection complète de solutions de mémoire pour découvrir davantage de composants semi-conducteurs haute fiabilité.
• Visitez la page d'accueil de HQICKEY pour consulter notre catalogue complet de semi-conducteurs pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et de l'industrie.
• Consultez les dernières analyses du secteur sur notre blog d'actualités.