Renesas Electronics Corporation IDT71256SA20PZI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.56 | Dhs. 10.56 |
| 15+ | Dhs. 10.24 | Dhs. 153.60 |
| 25+ | Dhs. 10.02 | Dhs. 250.50 |
| 50+ | Dhs. 9.46 | Dhs. 473.00 |
| 100+ | Dhs. 8.35 | Dhs. 835.00 |
| N+ | Dhs. 1.67 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
Présentation du produit
L' IDT71256SA20PZI8 est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haute performance de 256 kbits fabriquée par Renesas Electronics Corporation. Cette SRAM asynchrone dispose d'une organisation mémoire de 32 K x 8 et d'un temps d'accès ultrarapide de 20 ns, ce qui la rend idéale pour les applications exigeant un accès rapide aux données et des performances fiables dans des environnements exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 20 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques en termes de temps.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Alimentation flexible : la tension de fonctionnement de 4,5 V à 5,5 V s'adapte à différentes configurations de systèmes.
- Boîtier compact : la conception CMS 28 TSOP optimise l'espace sur le circuit imprimé.
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
Applications
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et aux applications informatiques embarquées où l'intégrité des données et la vitesse sont primordiales.
Pourquoi choisir HQICKEY ?
Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs haut de gamme pour les applications critiques. Notre vaste gamme de produits de mémoire comprend les dernières innovations de fabricants de renom tels que Renesas Electronics Corporation.
Restez informé(e) des dernières technologies en matière de semi-conducteurs, des tendances du secteur et des nouveaux produits en consultant notre blog d'actualités .
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 256 Kbits |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 28-TSOP |

IDT71256SA20PZI8.pdf