Renesas Electronics Corporation IDT71256SA25PZI8

IDT71256SA25PZI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 256 kbits

L' IDT71256SA25PZI8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone haute fiabilité (mémoire vive statique) conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Grâce à son temps d'accès ultrarapide de 25 ns et à sa plage de températures de fonctionnement robuste de -40 °C à 85 °C, ce circuit intégré de mémoire offre des performances exceptionnelles dans les environnements les plus exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 25 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Capacité généreuse : mémoire de 256 Kbits organisée en 32 K x 8 pour un stockage de données flexible
• Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
• Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle pour une intégration transparente
• Alimentation stable : fonctionne avec une tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V.
• Conception pour montage en surface : boîtier TSOP 28 broches pour une implantation efficace sur le circuit imprimé et un assemblage automatisé

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est conçu pour des applications à haute fiabilité, notamment :

• Systèmes aérospatiaux et avioniques
• Unités de contrôle automobile et systèmes de sécurité
• Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
• Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
• Infrastructure de télécommunications
• systèmes d'acquisition de données
• Plateformes informatiques embarquées

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