Renesas Electronics Corporation IDT71T016SA12BFI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.16 | Dhs. 17.16 |
| 15+ | Dhs. 16.62 | Dhs. 249.30 |
| 25+ | Dhs. 16.25 | Dhs. 406.25 |
| 50+ | Dhs. 15.35 | Dhs. 767.50 |
| 100+ | Dhs. 13.55 | Dhs. 1,355.00 |
| N+ | Dhs. 2.71 | Price Inquiry |
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IDT71T016SA12BFI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone haute vitesse IDT71T016SA12BFI de Renesas Electronics (1 Mbit) est conçue pour les applications exigeantes nécessitant des temps d'accès rapides et une grande fiabilité. Avec un temps d'accès de 12 ns et une organisation mémoire de 64 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et aérospatiales.
Caractéristiques principales
- Temps d'accès ultra-rapide de 12 ns pour un traitement de données à haute vitesse
- Capacité de 1 Mbit avec une organisation de 64K x 16
- Fonctionnement à basse tension (2,375 V à 2,625 V) pour une efficacité énergétique optimale
- Large plage de températures (-40 °C à 85 °C) pour les applications industrielles
- Boîtier compact 48-CABGA (7x7 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Interface parallèle pour une intégration simple
Applications
Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les systèmes automobiles, les dispositifs médicaux et les infrastructures de télécommunications nécessitant une mémoire haute fiabilité avec un support à long terme.
Spécifications techniques
Pourquoi choisir cette SRAM ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Renesas authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et un engagement sur le long terme. Cette mémoire SRAM est accompagnée de fiches techniques complètes et de ressources de conception pour accélérer votre cycle de développement.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 2,375 V ~ 2,625 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-LFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (7x7) |

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