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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 355,884.59 Dhs. 355,884.59
15+ Dhs. 344,646.13 Dhs. 5,169,691.95
25+ Dhs. 337,153.82 Dhs. 8,428,845.50
50+ Dhs. 318,423.06 Dhs. 15,921,153.00
100+ Dhs. 280,961.52 Dhs. 28,096,152.00
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IDT71V124SA10YGI8 - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone IDT71V124SA10YGI8 de Renesas Electronics est une mémoire haute fiabilité de 1 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, aérospatial et des télécommunications. Grâce à un temps d'accès rapide de 10 ns et une organisation mémoire de 128 Ko x 8, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une disponibilité à long terme.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
  • Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, plage de températures industrielles pour environnements difficiles
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3,15 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
  • Boîtier CMS : boîtier 32-SOJ pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
  • Interface parallèle : Interface parallèle standard pour une intégration simple
  • Conforme aux normes RoHS et REACH : Respecte les normes environnementales et réglementaires

Applications typiques

  • Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
  • Systèmes électroniques automobiles et ADAS
  • Équipements aérospatiaux et de défense
  • Dispositifs médicaux nécessitant un support à long terme
  • Infrastructure de télécommunications
  • Systèmes embarqués à haute fiabilité

Spécifications techniques complètes

Qualité et traçabilité

En tant que distributeur agréé, nous fournissons une documentation de traçabilité complète, les certifications du fabricant et un engagement sur le long terme. Tous les composants proviennent directement de Renesas Electronics et sont accompagnés d'une documentation complète de la chaîne de traçabilité afin de répondre à vos exigences en matière de qualité et de conformité.

Informations de commande

Disponible en conditionnement sur bande et bobine (TR) pour l'assemblage automatisé par prélèvement et placement. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et les options d'emballage personnalisées.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3,15 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ