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Promotion Épuisé
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15+ Dhs. 17.41 Dhs. 261.15
25+ Dhs. 17.03 Dhs. 425.75
50+ Dhs. 16.08 Dhs. 804.00
100+ Dhs. 14.19 Dhs. 1,419.00
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IDT71V2559S75PF - Circuit intégré de mémoire SRAM synchrone haute performance

L' IDT71V2559S75PF de Renesas Electronics est une SRAM synchrone haute vitesse de 4,5 Mbit dotée d'une architecture Zero Bus Turnaround (ZBT), idéale pour les équipements de réseau, les infrastructures de télécommunications, les systèmes de contrôle industriels et les applications informatiques hautes performances nécessitant un accès mémoire rapide et déterministe.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 7,5 ns permet une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Zero Bus Turnaround (ZBT) : élimine les temps d’attente entre les cycles de lecture et d’écriture pour un débit maximal.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 18 optimisée pour les applications de traitement de données
  • Fonctionnement standard 3,3 V : Compatible avec les systèmes numériques modernes (3,135 V ~ 3,465 V)
  • Boîtier CMS : 100-TQFP (14 x 14 mm) pour une intégration efficace sur circuit imprimé et un assemblage automatisé
  • Large plage de fonctionnement : de 0 °C à 70 °C (qualité de température commerciale)

Applications typiques

  • Routeurs et commutateurs réseau (mise en mémoire tampon des paquets, tables de correspondance)
  • Équipements de télécommunications (cartes de ligne, stations de base)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse
  • Mémoire associée FPGA et ASIC
  • Mémoire cache pour processeurs embarqués

Pourquoi choisir un distributeur agréé ?

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Spécifications techniques complètes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Plateau | Plateau
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Synchrone, SDR (ZBT)
Taille de la mémoire 4,5 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 18
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 7,5 ns
Tension - Alimentation 3,135 V ~ 3,465 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 100-LQFP
Emballage du dispositif du fournisseur 100-TQFP (14x14)