Renesas Electronics Corporation IDT71V256SA10PZ

IDT71V256SA10PZ - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

La mémoire SRAM IDT71V256SA10PZ de Renesas Electronics est une mémoire vive statique (SRAM) haute vitesse de 256 kbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Grâce à son temps d'accès ultrarapide de 10 ns et à son interface parallèle asynchrone, ce circuit intégré de mémoire offre des performances fiables pour les systèmes à microcontrôleur, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
• Organisation flexible : architecture mémoire 32 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Interface asynchrone : une interface parallèle simple élimine la complexité de la synchronisation d’horloge
• Boîtier CMS : boîtier TSOP 28 broches idéal pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les applications commerciales
• Composants authentiques : pièces Renesas 100 % authentiques avec assistance technique et support complet tout au long du cycle de vie

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide, notamment les tampons de données des microcontrôleurs, le stockage de configuration des FPGA, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de réseau, les instruments de test et de mesure et l'électronique automobile.

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Spécifications techniques complètes

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