Renesas Electronics Corporation IDT71V256SA10YG

IDT71V256SA10YG - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

L' IDT71V256SA10YG de Renesas Electronics Corporation est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation mémoire de 32 Ko x 8, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
• Organisation flexible : la configuration 32 Ko x 8 offre une gestion optimale des données à l’échelle de l’octet
• Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
• Boîtier CMS : boîtier 28-BSOJ/28-SOJ pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
• Interface parallèle : Interface parallèle standard pour une intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs

Applications idéales

Cette mémoire SRAM asynchrone est idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs de réseau, les systèmes d'acquisition de données et toute application nécessitant un stockage de données temporaire à haute vitesse avec accès parallèle.

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Spécifications techniques complètes

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