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15+ Dhs. 6.45 Dhs. 96.75
25+ Dhs. 6.31 Dhs. 157.75
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IDT71V256SA10YG8 - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

La mémoire SRAM asynchrone IDT71V256SA10YG8 de Renesas Electronics Corporation est une solution haut de gamme de 256 kbits conçue pour les systèmes embarqués haute vitesse exigeant un accès mémoire rapide et fiable. Avec un temps d'accès exceptionnel de 10 ns et une organisation de 32 K x 8, cette SRAM à interface parallèle offre des performances constantes pour les applications industrielles, automobiles et IoT. Fonctionnant sous une tension de 3 V à 3,6 V et dans une large plage de températures (0 °C à 70 °C), ce composant CMS garantit une disponibilité à long terme et une traçabilité complète.

Spécifications techniques

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible : configuration 32 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants
  • Interface parallèle : intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Boîtier CMS : boîtier 28-BSOJ pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.

Applications idéales

  • Systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • Dispositifs de réseau et de télécommunications
  • Électronique et instrumentation automobile
  • Systèmes d'informatique de périphérie et d'acquisition de données IoT
  • Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic

Assurance qualité et authenticité

Distributeur mondial de confiance, HQICKEY garantit l'authenticité de ses composants Renesas, leur traçabilité complète et un support tout au long de leur cycle de vie. Chaque unité IDT71V256SA10YG8 provient directement de circuits de distribution agréés, assurant ainsi sa conformité aux normes industrielles et aux spécifications du fabricant. Nous offrons un support technique complet et un approvisionnement à long terme pour vos projets critiques.

Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-SOJ