Renesas Electronics Corporation IDT71V256SA12PZ

La mémoire SRAM asynchrone IDT71V256SA12PZ de Renesas Electronics est une mémoire haute performance de 256 kbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 32 K x 8, cette SRAM volatile offre des performances d'interface parallèle fiables pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les systèmes de traitement en temps réel. Fonctionnant sous 3,3 V (3 V à 3,6 V), elle offre une excellente efficacité énergétique tout en conservant des performances robustes sur une large plage de températures (0 °C à 70 °C).

Principales caractéristiques et applications

Ce circuit intégré SRAM à montage en surface est logé dans un boîtier 28-TSSOP compact (largeur de 11,8 mm), idéal pour les circuits imprimés à espace restreint utilisés dans les équipements de télécommunications, les dispositifs de réseau, les contrôleurs industriels et l'électronique automobile. Son architecture asynchrone élimine le besoin de synchronisation d'horloge, simplifiant ainsi la conception du système, tandis que son interface parallèle assure une intégration aisée avec les microcontrôleurs, les DSP et les FPGA. Grâce à sa fiabilité éprouvée et à sa longue durée de vie, l'IDT71V256SA12PZ est le choix de confiance des fabricants d'équipement d'origine (OEM) exigeant des composants mémoire authentiques de qualité professionnelle, bénéficiant d'un support technique complet.

Ressources connexes :

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