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Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 256 kbits de qualité supérieure

Le circuit intégré IDT71V256SA12PZI8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son architecture 32K x 8 et son temps d'accès ultrarapide de 12 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon de données en temps réel, la mémoire cache et les applications de traitement à haute vitesse.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
  • Organisation flexible : configuration 32 Ko x 8 bits optimisée pour les chemins de données de la taille d’un octet
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et tolérance de température de -40 °C à 85 °C
  • Fiabilité de niveau industriel : Boîtier TSOP 28 broches pour montage en surface, assurant une intégration robuste sur circuit imprimé.
  • Interface parallèle : interface SRAM asynchrone standard pour une intégration système simplifiée
  • Composants authentiques : L'emballage scellé en usine sur bande et bobine garantit la qualité authentique Renesas

Applications idéales

Idéal pour les contrôleurs embarqués, l'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, les dispositifs de réseau, les systèmes d'acquisition de données et toute application nécessitant un stockage temporaire de données à haute vitesse avec une disponibilité à long terme garantie.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir HQICKEY pour vos composants de mémoire ?

Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques à longue durée de vie, accompagnés d'un support technique dédié. Chaque unité IDT71V256SA12PZI8 provient directement de circuits de distribution agréés, garantissant une authenticité à 100 % et une couverture complète de la garantie constructeur. Notre réseau logistique mondial assure une livraison fiable, même pour les productions à grande échelle.

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire, incluant les solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM, pour vos projets embarqués et industriels. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haut de gamme, ou visitez notre blog technique pour les dernières actualités du secteur et les notes d'application.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-TSOP