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IDT71V256SA15PZI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

Le circuit intégré IDT71V256SA15PZI8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone (mémoire vive statique) haute performance de 256 kbits, conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire volatile rapides et fiables. Avec un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et une organisation mémoire de 32 Ko x 8, ce circuit intégré offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : la configuration 32K x 8 offre une architecture de stockage de données polyvalente
  • Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
  • Boîtier CMS : boîtier TSOP 28 broches optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
  • Emballage en bande et bobine : Emballage prêt pour la production en grande série

Applications

Ce circuit intégré SRAM est idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, les infrastructures de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une longue durée de vie.

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Spécifications techniques

Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 Kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-TSOP