Renesas Electronics Corporation IDT71V256SA20PZ8

IDT71V256SA20PZ8 - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 Kbits

L' IDT71V256SA20PZ8 est une puce de mémoire vive statique (SRAM) haute vitesse de 256 kbits fabriquée par Renesas Electronics Corporation. Cette SRAM asynchrone dispose d'une organisation mémoire 32K x 8 avec interface parallèle, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les applications de contrôle industriel et les besoins de mise en mémoire tampon de données à haute vitesse.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique des systèmes embarqués modernes.
• Performances fiables : Plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C (TA) adaptée aux environnements commerciaux et industriels
• Boîtier compact : le boîtier CMS 28-TSOP (largeur de 11,8 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
• Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
• Approvisionnement authentique : Composants Renesas authentiques avec traçabilité complète et assistance tout au long du cycle de vie

Spécifications techniques

Applications courantes

• Mémoire tampon et cache des données des systèmes embarqués
• systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
• Matériel de télécommunications et de réseau
• Dispositifs et instruments médicaux
• Modules électroniques et de contrôle automobiles
• Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse

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