Renesas Electronics Corporation IDT71V256SA20PZI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.49 | Dhs. 7.49 |
| 15+ | Dhs. 7.24 | Dhs. 108.60 |
| 25+ | Dhs. 7.08 | Dhs. 177.00 |
| 50+ | Dhs. 6.69 | Dhs. 334.50 |
| 100+ | Dhs. 5.90 | Dhs. 590.00 |
| N+ | Dhs. 1.18 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
Mémoire SRAM asynchrone 256 Kbits de qualité supérieure - IDT71V256SA20PZI8
La mémoire IDT71V256SA20PZI8 de Renesas Electronics Corporation offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Cette SRAM asynchrone haute vitesse dispose d'une capacité de 256 Kbits organisée en 8 blocs de 32 Kbits, ce qui la rend idéale pour les automates industriels, les équipements réseau et les applications de mise en mémoire tampon de données.
Principales caractéristiques de performance
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible : architecture mémoire 32 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans protocoles série complexes
- Boîtier CMS : boîtier TSOP 28 broches pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Routeurs et commutateurs réseau
- systèmes d'acquisition de données
- Plateformes informatiques embarquées
- Mémoire cache haute vitesse
- Équipement de télécommunications
Pourquoi choisir HQICKEY ?
Chez HQICKEY, nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants Renesas, leur traçabilité complète et leur disponibilité tout au long de leur cycle de vie. Notre équipe d'assistance technique accompagne les équipementiers et les intégrateurs de systèmes dans le choix des composants, leur intégration et assure un approvisionnement mondial fiable pour les productions à grande échelle.
Explorez davantage de composants haut de gamme :
- Parcourez notre collection complète de circuits intégrés mémoire pour les solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM.
- Visitez la page d'accueil de HQICKEY pour consulter notre catalogue complet de semi-conducteurs de qualité industrielle.
- Consultez notre blog Actualités et Techniques pour les dernières mises à jour des composants et les notes d'application.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 256 kbits |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 28-TSOP |
IDT71V256SA20PZI8.pdf