Renesas Electronics Corporation IDT71V416L10BEGI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.38 | Dhs. 17.38 |
| 15+ | Dhs. 16.82 | Dhs. 252.30 |
| 25+ | Dhs. 16.45 | Dhs. 411.25 |
| 50+ | Dhs. 15.54 | Dhs. 777.00 |
| 100+ | Dhs. 13.71 | Dhs. 1,371.00 |
| N+ | Dhs. 2.74 | Price Inquiry |
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La puce IDT71V416L10BEGI8 de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son organisation de 256 Ko x 16 et à son temps d'accès de 10 ns, une performance de pointe, ce circuit intégré mémoire offre une vitesse exceptionnelle pour les systèmes industriels, automobiles, aérospatiaux et de télécommunications.
Caractéristiques principales :
- Temps d'accès ultra-rapide de 10 ns pour des opérations de données à haut débit
- Capacité de 4 Mbit avec une interface parallèle de 256 K x 16
- Fonctionnement basse tension : plage d’alimentation de 3 V à 3,6 V
- Plage de température étendue : -40 °C à 85 °C (TA)
- Boîtier compact à montage en surface 48-CABGA (9 x 9 mm)
- Technologie SRAM asynchrone pour une intégration simplifiée
- Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé
Applications : Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les systèmes aérospatiaux et les applications de mise en mémoire tampon de données à haute vitesse nécessitant un support à long terme et une traçabilité complète.
Distributeur agréé : Nous fournissons des composants Renesas authentiques avec la documentation complète du fabricant, une assistance sous garantie et une expédition mondiale via des canaux agréés.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
IDT71V416L10BEGI8.pdf