Renesas Electronics Corporation IDT71V416L10BEI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.82 | Dhs. 16.82 |
| 15+ | Dhs. 16.30 | Dhs. 244.50 |
| 25+ | Dhs. 15.95 | Dhs. 398.75 |
| 50+ | Dhs. 15.06 | Dhs. 753.00 |
| 100+ | Dhs. 13.29 | Dhs. 1,329.00 |
| N+ | Dhs. 2.66 | Price Inquiry |
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IDT71V416L10BEI8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
L' IDT71V416L10BEI8 de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une large plage de températures de fonctionnement, ce circuit intégré mémoire offre des performances fiables pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Configuration mémoire optimale : l’organisation 256 Ko x 16 offre une gestion des données flexible
- Large plage de tension : fonctionnement de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.
- Plage de température industrielle : de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Boîtier compact : conception compacte à montage en surface 48 TFBGA (CABGA 9 x 9 mm)
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et processeurs standard
Applications
Idéal pour les systèmes à haute fiabilité nécessitant une mémoire volatile rapide, tels que les routeurs réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les calculateurs automobiles et l'instrumentation aérospatiale. Parfait pour les applications exigeant un support à long terme et une traçabilité complète.
Spécifications techniques
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En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Renesas authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et une livraison internationale. Nos services à valeur ajoutée comprennent des ressources d'intégration dès la conception et un engagement à long terme pour vos projets critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
IDT71V416L10BEI8.pdf