Renesas Electronics Corporation IDT71V416S10BEI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.82 | Dhs. 16.82 |
| 15+ | Dhs. 16.30 | Dhs. 244.50 |
| 25+ | Dhs. 15.95 | Dhs. 398.75 |
| 50+ | Dhs. 15.06 | Dhs. 753.00 |
| 100+ | Dhs. 13.29 | Dhs. 1,329.00 |
| N+ | Dhs. 2.66 | Price Inquiry |
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IDT71V416S10BEI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
L' IDT71V416S10BEI8 de Renesas Electronics Corporation est une solution de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Grâce à son temps d'accès ultrarapide de 10 ns et à sa large plage de températures de fonctionnement, ce circuit intégré de mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Haute densité : une capacité de 4 Mbit avec une organisation de 256 000 x 16 offre un stockage important dans un format compact.
- Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Interface parallèle : Interface parallèle standard pour une intégration facile aux systèmes existants
- Boîtier CMS (composants montés en surface) : 48-TFBGA (CABGA 9x9 mm) pour des circuits imprimés compacts.
- Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement de Renesas en faveur d’une disponibilité produit étendue
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire SRAM est parfaitement adapté aux équipements de réseau, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications et aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une disponibilité à long terme garantie.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir cette mémoire SRAM dans notre magasin ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Renesas 100 % authentiques, accompagnés d'une documentation de traçabilité complète, à des prix compétitifs, avec livraison internationale et assistance technique spécialisée. Chaque unité est garantie et bénéficie de notre engagement à assurer un support technique à long terme pour vos conceptions critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
IDT71V416S10BEI8.pdf