Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL10BEGI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.38 | Dhs. 17.38 |
| 15+ | Dhs. 16.82 | Dhs. 252.30 |
| 25+ | Dhs. 16.45 | Dhs. 411.25 |
| 50+ | Dhs. 15.54 | Dhs. 777.00 |
| 100+ | Dhs. 13.71 | Dhs. 1,371.00 |
| N+ | Dhs. 2.74 | Price Inquiry |
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Renesas IDT71V416VL10BEGI8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone haute vitesse IDT71V416VL10BEGI8 de Renesas Electronics est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel et des télécommunications. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, cette SRAM offre un stockage de données fiable et performant pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, plage de températures industrielles pour environnements difficiles
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
- Boîtier compact pour montage en surface : son format 48-CABGA (9 x 9 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Interface parallèle : une interface simple et éprouvée pour une intégration directe.
Applications idéales
Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les systèmes aérospatiaux, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une longue durée de vie.
Garantie du distributeur agréé
Nous fournissons exclusivement des composants provenant de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Chaque composant est approvisionné par les circuits officiels afin de garantir son authenticité et sa fiabilité pour vos applications critiques.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
IDT71V416VL10BEGI8.pdf