Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL10PH8

IDT71V416VL10PH8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

Le circuit intégré IDT71V416VL10PH8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit conçue pour les applications exigeant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation en 256 Ko x 16, cette puce SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les équipements de télécommunications, les contrôleurs industriels et les périphériques réseau.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques en termes de temps.
• Organisation flexible : l’architecture mémoire 256K x 16 offre une largeur de données optimale pour les processeurs 16 bits.
• Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Large plage de températures : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les applications commerciales
• Boîtier CMS : le boîtier 44-TSOP II permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
• Interface parallèle : interface mémoire simple et directe pour une intégration facile

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute performance est idéale pour les routeurs et commutateurs réseau, les systèmes d'automatisation industrielle, les infrastructures de télécommunications, les applications de mise en mémoire tampon des données, les implémentations de mémoire cache et les plateformes informatiques embarquées où la vitesse et la fiabilité sont primordiales.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir cette SRAM ?

Renesas Electronics Corporation est un leader reconnu dans la fabrication de semi-conducteurs, fournissant des composants répondant aux normes les plus exigeantes en matière de qualité et de fiabilité. La puce IDT71V416VL10PH8 associe une technologie SRAM éprouvée à un conditionnement moderne, ce qui en fait un excellent choix pour les nouvelles conceptions et la mise à niveau des systèmes existants. Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour une production en grande série efficace.

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