Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL10PHG8

IDT71V416VL10PHG8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

L'IDT71V416VL10PHG8 est une puce mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité fabriquée par Renesas Electronics Corporation. Cette solution de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns, ce qui la rend idéale pour les applications exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des télécommunications et des équipements médicaux.

Caractéristiques principales :

• Capacité mémoire : 4 Mbit (organisation 256K x 16)
• Accès ultra-rapide : temps d’accès de 10 ns pour des opérations de données à haut débit
• Fonctionnement basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V
• Plage de températures industrielles : 0 °C à 70 °C (TA)
• Boîtier compact : boîtier CMS 44-TSOP II
• Interface parallèle : Intégration facile avec les systèmes existants
• Technologie asynchrone : aucune horloge requise pour une conception simplifiée

Applications :

Cette puce SRAM est idéale pour les systèmes embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les équipements réseau et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un support à long cycle de vie.

Spécifications techniques complètes :

Pourquoi choisir ce produit ?

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Renesas authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et un engagement sur le long terme. Cette solution SRAM offre la fiabilité et les performances requises par vos applications critiques, grâce à des ressources d'intégration complètes et une capacité d'expédition mondiale.

• IDT71V416VL10PHG8.pdf