Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL12BE
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.97 | Dhs. 16.97 |
| 15+ | Dhs. 16.44 | Dhs. 246.60 |
| 25+ | Dhs. 16.08 | Dhs. 402.00 |
| 50+ | Dhs. 15.19 | Dhs. 759.50 |
| 100+ | Dhs. 13.40 | Dhs. 1,340.00 |
| N+ | Dhs. 2.68 | Price Inquiry |
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IDT71V416VL12BE - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone haute vitesse IDT71V416VL12BE de Renesas Electronics est une solution conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son organisation 256K x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 12 ns, cette puce SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les équipements réseau, les infrastructures de télécommunications et les applications de contrôle industriel.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation flexible : configuration 256K x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile
- Boîtier CMS : 48-TFBGA (48-CABGA 9x9mm) pour les circuits imprimés compacts
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C
- Fabricant de confiance : Bénéficiez de la réputation de qualité et de fiabilité de Renesas Electronics.
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute performance est idéale pour la mémoire cache, le stockage tampon, l'enregistrement de données, les systèmes de traitement en temps réel et toute application nécessitant un accès aléatoire rapide à la mémoire volatile.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont sujettes à la fiche technique du fabricant. Contactez-nous pour connaître la disponibilité, les prix et obtenir une assistance technique.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
IDT71V416VL12BE.pdf