Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL12BE8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.25 | Dhs. 15.25 |
| 15+ | Dhs. 14.75 | Dhs. 221.25 |
| 25+ | Dhs. 14.43 | Dhs. 360.75 |
| 50+ | Dhs. 13.63 | Dhs. 681.50 |
| 100+ | Dhs. 12.02 | Dhs. 1,202.00 |
| N+ | Dhs. 2.40 | Price Inquiry |
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IDT71V416VL12BE8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
Le circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit IDT71V416VL12BE8 de Renesas Electronics est un composant haut de gamme conçu pour les applications critiques exigeant des temps d'accès rapides et une grande fiabilité. Grâce à son organisation mémoire de 256 Ko x 16 et à son temps d'accès ultrarapide de 12 ns, il offre des performances exceptionnelles pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications et des dispositifs médicaux.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Organisation flexible : l’interface parallèle 256K x 16 optimise le débit de données
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Format compact : Boîtier CMS 48-CABGA (9 x 9 mm) peu encombrant
- Fiabilité éprouvée : Bénéficiez de la réputation de Renesas en matière de support et de traçabilité tout au long du cycle de vie.
Spécifications techniques complètes
Applications idéales
- Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité
- Systèmes électroniques automobiles et ADAS
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Infrastructure de télécommunications
- Instrumentation des dispositifs médicaux
- Systèmes embarqués hautes performances
Assurance qualité : Tous les composants proviennent directement de distributeurs agréés et bénéficient d’une traçabilité complète ainsi que d’une documentation conforme aux normes RoHS/REACH. Nous nous engageons à assurer un support technique tout au long du cycle de vie des applications critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
IDT71V416VL12BE8.pdf