Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL12BEI

Renesas IDT71V416VL12BEI - SRAM asynchrone haute vitesse 4 Mbit

L' IDT71V416VL12BEI de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications nécessitant des temps d'accès rapides et un fonctionnement fiable sur des plages de température étendues.

Caractéristiques principales

• Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 12 ns pour les applications critiques en termes de temps.
• Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 avec interface parallèle
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C
• Boîtier compact : boîtier CABGA 48 broches (9 x 9 mm) à montage en surface
• Fiabilité de niveau industriel : Idéale pour les programmes à long cycle de vie avec une traçabilité complète du fabricant

Applications

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux mémoires tampon, aux mémoires cache, à l'enregistrement de données, aux systèmes embarqués et aux systèmes d'acquisition de données à haute vitesse où une mémoire volatile rapide et fiable est essentielle.

Distributeur agréé

Nous fournissons des composants Renesas authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, de garanties d'authenticité et d'une livraison internationale via des canaux agréés. Notre engagement en matière de disponibilité à long terme assure le support continu de vos programmes tout au long de leur cycle de vie.

Spécifications techniques

• IDT71V416VL12BEI.pdf