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15+ Dhs. 15.40 Dhs. 231.00
25+ Dhs. 15.07 Dhs. 376.75
50+ Dhs. 14.23 Dhs. 711.50
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IDT71V416VL12BEI8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire IDT71V416VL12BEI8 de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes nécessitant des temps d'accès rapides et un fonctionnement sur une large plage de températures. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une plage de températures de qualité industrielle, ce circuit intégré mémoire offre des performances constantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des télécommunications et des systèmes de contrôle industriels.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 12 ns pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 avec interface parallèle
  • Fiabilité de qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
  • Montage en surface compact : boîtier 48-CABGA (9 x 9 mm) optimisé pour les conceptions à espace restreint
  • Assistance tout au long du cycle de vie : Bénéficiez de l’engagement de Renesas en matière de longévité et de traçabilité des produits.

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes de contrôle de vol aérospatiaux, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux infrastructures de télécommunications, à la mise en mémoire tampon des données des dispositifs médicaux et aux systèmes embarqués à haute fiabilité nécessitant une conservation des données non volatiles lors des cycles d'alimentation.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir cette SRAM ?

En tant que distributeur agréé Renesas, nous assurons une traçabilité complète, une assistance technique à l'intégration et une livraison internationale. Chaque unité est certifiée par le fabricant et bénéficie de notre engagement envers la qualité et la disponibilité tout au long de son cycle de vie. Idéal pour les ingénieurs concevant des systèmes de nouvelle génération exigeant une fiabilité et des performances éprouvées.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-CABGA (9x9)