Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL12PH

Renesas IDT71V416VL12PH - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit

L' IDT71V416VL12PH est une SRAM asynchrone 4 Mbit hautes performances de Renesas Electronics Corporation, conçue pour les applications exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec une organisation de 256 Ko x 16 et un temps d'accès de 12 ns, ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications et embarqués.

Caractéristiques principales :

• Capacité mémoire : 4 Mbit (organisation 256K x 16)
• Temps d'accès : ultra-rapide de 12 ns pour des opérations de données à haut débit
• Interface : Interface mémoire parallèle pour connexion directe au processeur
• Tension d'alimentation : 3 V à 3,6 V pour un fonctionnement à faible consommation.
• Boîtier : montage en surface TSOP II 44 broches pour une conception de circuit imprimé compacte
• Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C (TA) pour les applications commerciales

Applications :

Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les systèmes automobiles, les infrastructures de télécommunications et les applications de mise en mémoire tampon de données à haute vitesse nécessitant une mémoire volatile fiable avec des temps d'accès rapides.

Avantages réservés aux distributeurs agréés :

Nous fournissons des composants Renesas authentiques avec la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et un support tout au long du cycle de vie pour garantir le succès de votre intégration et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes :

• IDT71V416VL12PH.pdf