Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL12PHG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.15 | Dhs. 16.15 |
| 15+ | Dhs. 15.65 | Dhs. 234.75 |
| 25+ | Dhs. 15.31 | Dhs. 382.75 |
| 50+ | Dhs. 14.46 | Dhs. 723.00 |
| 100+ | Dhs. 12.76 | Dhs. 1,276.00 |
| N+ | Dhs. 2.55 | Price Inquiry |
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IDT71V416VL12PHG8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire IDT71V416VL12PHG8 de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation en 256 Ko x 16, ce composant mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications et informatiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Capacité généreuse : l’organisation de 4 Mbits (256 Ko x 16) offre un espace de stockage suffisant pour la mise en mémoire tampon et la mise en cache.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C
- Boîtier CMS : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé
- Interface parallèle : Interface parallèle standard pour une intégration simple
Applications idéales
Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les systèmes automobiles, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant un stockage de données temporaire à haute vitesse avec accès parallèle.
Spécifications techniques complètes
Distributeur agréé : Nous fournissons des composants Renesas authentiques avec traçabilité complète et assistance tout au long du cycle de vie. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, nos délais de livraison et obtenir une assistance technique.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
IDT71V416VL12PHG8.pdf