Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL15BE8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.25 | Dhs. 15.25 |
| 15+ | Dhs. 14.75 | Dhs. 221.25 |
| 25+ | Dhs. 14.43 | Dhs. 360.75 |
| 50+ | Dhs. 13.63 | Dhs. 681.50 |
| 100+ | Dhs. 12.02 | Dhs. 1,202.00 |
| N+ | Dhs. 2.40 | Price Inquiry |
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IDT71V416VL15BE8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
Le circuit intégré IDT71V416VL15BE8 de Renesas Electronics est une mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et une organisation en 256 Ko x 16, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les systèmes de contrôle industriel, les équipements de télécommunications, les périphériques réseau et les applications de mise en mémoire tampon de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès ultra-rapide de 15 ns – Idéal pour le traitement de données à haute vitesse et les applications en temps réel
- Capacité mémoire de 4 Mbit (organisation 256 Ko x 16) – Équilibre optimal entre densité et performances
- Interface parallèle asynchrone - Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Fonctionnement à basse tension (3 V à 3,6 V) - Conception écoénergétique pour les systèmes modernes
- Plage de températures industrielles (0 °C à 70 °C) - Fonctionnement fiable dans des environnements exigeants
- Boîtier compact 48-CABGA (9 x 9 mm) - Conception à montage en surface peu encombrante
- La qualité Renesas – Soutenue par un fabricant de semi-conducteurs de confiance à la fiabilité éprouvée
Applications
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux routeurs et commutateurs de réseau, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux infrastructures de télécommunications, aux systèmes d'acquisition de données, aux plateformes informatiques embarquées et aux applications de mémoire cache haute vitesse où un accès rapide et aléatoire aux données est essentiel.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir cette SRAM ?
Lorsque votre conception exige un accès mémoire ultra-rapide et une fiabilité éprouvée, l'IDT71V416VL15BE8 est la solution idéale. Son architecture asynchrone élimine les complexités liées à la synchronisation d'horloge, tandis que son temps d'accès de 15 ns garantit une disponibilité permanente des données. Le boîtier CABGA compact permet un gain de place précieux sur la carte, et l'excellence de fabrication de Renesas assure une disponibilité à long terme et une qualité constante pour vos besoins de production.
Toutes les spécifications sont sujettes à la fiche technique du fabricant. Veuillez vérifier la compatibilité avec les exigences spécifiques de votre application.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |

IDT71V416VL15BE8.pdf