Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL15BEG

IDT71V416VL15BEG - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone haute vitesse IDT71V416VL15BEG de Renesas Electronics (4 Mbit) est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel et des télécommunications. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, ce composant assure un stockage de données fiable et à faible latence pour les systèmes critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès ultra-rapide de 15 ns – Idéal pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse et les applications de cache.
• Capacité de 4 Mbit (256 Ko x 16) - Équilibre optimal entre densité et performances
• Fonctionnement de 3 V à 3,6 V - Compatible avec les systèmes basse consommation modernes
• Boîtier CMS 48-CABGA - Format compact 9 x 9 mm
• Plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C - Convient aux environnements commerciaux et industriels
• Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs

Applications

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux équipements de réseau, à l'automatisation industrielle, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec accès parallèle.

Garantie du distributeur agréé

Nous fournissons exclusivement des produits provenant de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité et d'une garantie. Chaque composant bénéficie de notre engagement en matière de disponibilité et d'authenticité tout au long de son cycle de vie.

Spécifications techniques

• IDT71V416VL15BEG.pdf