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Promotion Épuisé
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1 Dhs. 15.92 Dhs. 15.92
15+ Dhs. 15.40 Dhs. 231.00
25+ Dhs. 15.07 Dhs. 376.75
50+ Dhs. 14.23 Dhs. 711.50
100+ Dhs. 12.56 Dhs. 1,256.00
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IDT71V416VL15BEG8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

Le circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone IDT71V416VL15BEG8 de Renesas Electronics est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes nécessitant des temps d'accès rapides et une grande stabilité. Avec un temps d'accès de 15 ns et une organisation de 256 Ko x 16, cette SRAM à interface parallèle offre une vitesse exceptionnelle pour les opérations à forte intensité de données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Configuration mémoire optimale : une capacité de 4 Mbits avec une organisation de 256 Ko x 16 offre un stockage de données flexible
  • Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
  • Boîtier compact pour montage en surface : 48-CABGA (9 x 9 mm) pour des circuits imprimés compacts.
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les architectures mémoire existantes

Applications idéales

Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux équipements de contrôle industriel, aux infrastructures de télécommunications et aux dispositifs médicaux où la fiabilité, la vitesse et la durée de vie sont essentielles.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir cette SRAM ?

En tant que distributeur agréé de composants Renesas Electronics, nous fournissons des circuits intégrés IDT71V416VL15BEG8 authentiques, avec une traçabilité complète, un support technique à long terme et une documentation technique exhaustive. Nos services à valeur ajoutée incluent l'intégration de ressources et la livraison internationale pour accompagner vos projets dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-CABGA (9x9)