Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL15BEGI8

Renesas IDT71V416VL15BEGI8 - SRAM asynchrone haute vitesse 4 Mbit

L' IDT71V416VL15BEGI8 est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit de Renesas Electronics Corporation, conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable avec interface parallèle. Avec un temps d'accès de 15 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications, aérospatiaux et automobiles.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès ultra-rapide de 15 ns – Idéal pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse et les applications de cache.
• Capacité de 4 Mbit (256 Ko x 16) - Densité de mémoire optimale pour les systèmes embarqués
• Large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C) - Convient aux environnements industriels et automobiles
• Fonctionnement à basse tension (3 V - 3,6 V) - Conception écoénergétique pour les applications sensibles à la consommation d'énergie
• Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Boîtier CMS 48-CABGA - Format compact pour des conceptions compactes

Applications

Cette SRAM asynchrone est idéale pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les infrastructures de télécommunications, les systèmes d'acquisition de données et les applications de mise en mémoire tampon à haute vitesse nécessitant une mémoire volatile fiable et à accès rapide.

Distributeur agréé - Traçabilité complète

Nous fournissons des composants Renesas authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et un support tout au long du cycle de vie pour garantir le succès de votre intégration et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes

• IDT71V416VL15BEGI8.pdf