Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL15PH
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.53 | Dhs. 17.53 |
| 15+ | Dhs. 16.99 | Dhs. 254.85 |
| 25+ | Dhs. 16.62 | Dhs. 415.50 |
| 50+ | Dhs. 15.70 | Dhs. 785.00 |
| 100+ | Dhs. 13.85 | Dhs. 1,385.00 |
| N+ | Dhs. 2.77 | Price Inquiry |
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Renesas IDT71V416VL15PH - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit
L' IDT71V416VL15PH est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit de Renesas Electronics Corporation, conçue pour les applications exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec une organisation de 256 Ko x 16 et un temps d'accès de 15 ns, ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et embarqués.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 15 ns pour les applications temps réel exigeantes
- Organisation flexible : la configuration 256K x 16 optimise le débit de données pour les systèmes 16 bits
- Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Boîtier CMS : 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour les circuits imprimés compacts
- Large plage de températures de fonctionnement : de 0 °C à 70 °C pour les applications commerciales
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans protocoles complexes
Applications
Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les instruments de test et de mesure et les applications de mise en mémoire tampon de données à haute vitesse.
Garantie de qualité et d'authenticité
Tous les composants proviennent de circuits de distribution agréés et sont accompagnés d'une documentation complète du fabricant, d'une traçabilité et d'un support technique tout au long du cycle de vie afin de limiter les risques d'obsolescence de vos conceptions critiques.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | Tube |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
IDT71V416VL15PH.pdf