Renesas Electronics Corporation IDT71V416VL15PH8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.43 | Dhs. 15.43 |
| 15+ | Dhs. 14.96 | Dhs. 224.40 |
| 25+ | Dhs. 14.63 | Dhs. 365.75 |
| 50+ | Dhs. 13.82 | Dhs. 691.00 |
| 100+ | Dhs. 12.20 | Dhs. 1,220.00 |
| N+ | Dhs. 2.44 | Price Inquiry |
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Renesas IDT71V416VL15PH8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
Le circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit IDT71V416VL15PH8 de Renesas Electronics est un composant haut de gamme conçu pour les applications critiques exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, de télécommunications, médicales et électroniques grand public.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
- Configuration mémoire optimale : une capacité de 4 Mbits avec une organisation de 256 Ko x 16 offre un stockage de données flexible
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
- Conception pour montage en surface : boîtier TSOP II 44 (largeur : 10,16 mm) pour une intégration efficace sur circuit imprimé.
- Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une intégration système simplifiée
- Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute vitesse est parfaitement adaptée à la mise en mémoire tampon, à la mise en cache et au stockage temporaire de données dans les environnements exigeants où la fiabilité et la traçabilité sont primordiales. Les fabricants d'équipement d'origine (OEM) et les fournisseurs de services de fabrication électronique (EMS) font confiance aux solutions de mémoire Renesas pour leur support à long terme et leur qualité constante.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir ce composant ? Fort de la réputation de qualité et de disponibilité à long terme de Renesas, le IDT71V416VL15PH8 offre la fiabilité et les performances requises pour vos applications critiques. Sa traçabilité complète et sa conformité aux normes RoHS/REACH garantissent une sérénité totale pour les déploiements internationaux.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
IDT71V416VL15PH8.pdf