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15+ Dhs. 15.65 Dhs. 234.75
25+ Dhs. 15.31 Dhs. 382.75
50+ Dhs. 14.46 Dhs. 723.00
100+ Dhs. 12.76 Dhs. 1,276.00
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IDT71V416VL15PHI8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

L' IDT71V416VL15PHI8 de Renesas Electronics est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone de 4 Mbits haute fiabilité, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes à forte intensité de données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 optimisée pour le traitement parallèle
  • Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Conception pour montage en surface : boîtier 44-TSOP II pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
  • Distribution agréée : Composants Renesas authentiques avec traçabilité complète et assistance tout au long du cycle de vie

Spécifications techniques

Applications

  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Électronique automobile et systèmes ADAS
  • Automatisation et contrôle industriels
  • Infrastructure de télécommunications
  • Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
  • Mise en mémoire tampon et cache de données à haute vitesse

Pourquoi choisir notre distributeur agréé ?

En tant que distributeur agréé Renesas, nous fournissons des composants authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et un engagement sur le long terme. Nos services à valeur ajoutée comprennent l'intégration de ressources dès la conception, la livraison internationale et un accompagnement dédié pour les projets critiques.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II