Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS10BEI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.82 | Dhs. 16.82 |
| 15+ | Dhs. 16.30 | Dhs. 244.50 |
| 25+ | Dhs. 15.95 | Dhs. 398.75 |
| 50+ | Dhs. 15.06 | Dhs. 753.00 |
| 100+ | Dhs. 13.29 | Dhs. 1,329.00 |
| N+ | Dhs. 2.66 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS10BEI8 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire IDT71V416VS10BEI8 de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une large plage de températures de fonctionnement, ce circuit intégré mémoire offre des performances constantes dans les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Capacité généreuse : l'organisation de 4 Mbit (256 Ko x 16) offre un stockage suffisant pour les systèmes embarqués.
- Qualité industrielle : plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Encombrement réduit : le boîtier CABGA 48 (9 x 9 mm) à montage en surface permet de gagner de la place sur la carte.
- Interface parallèle : Interface parallèle standard pour une intégration facile
- Approvisionnement fiable : Emballage en bande et bobine pour assemblage automatisé
Applications typiques
Cette mémoire SRAM est idéale pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un support à long cycle de vie.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir ce composant ?
En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un support technique tout au long du cycle de vie et des ressources d'assistance à l'intégration. Cette mémoire SRAM Renesas allie une fiabilité éprouvée aux performances requises pour les applications professionnelles dans de nombreux secteurs.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
IDT71V416VS10BEI8.pdf