Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS10PH8

IDT71V416VS10PH8 - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone haute vitesse IDT71V416VS10PH8 de Renesas Electronics est conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son organisation 256K x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 10 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et aérospatiaux.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
• Organisation flexible : architecture mémoire 256 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
• Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
• Boîtier CMS : boîtier TSOP II 44 broches pour une implantation efficace sur circuit imprimé et un assemblage automatisé
• Interface parallèle : interface parallèle asynchrone standard pour une intégration simple

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée à la mémoire cache, au stockage tampon, à l'enregistrement de données, aux équipements de réseau, aux contrôleurs industriels, aux dispositifs médicaux et à toute application nécessitant un stockage temporaire de données à haute vitesse avec une conservation des données garantie pendant la mise sous tension.

Spécifications techniques complètes

Qualité et traçabilité

Tous les produits proviennent directement de distributeurs agréés et bénéficient d'une traçabilité complète. Conformes à la norme RoHS et couverts par la garantie constructeur, ils sont parfaitement adaptés aux conceptions OEM exigeant un support à long terme et une chaîne d'approvisionnement fiable et constante.

• IDT71V416VS10PH8.pdf