Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS10PHG
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.53 | Dhs. 17.53 |
| 15+ | Dhs. 16.99 | Dhs. 254.85 |
| 25+ | Dhs. 16.62 | Dhs. 415.50 |
| 50+ | Dhs. 15.70 | Dhs. 785.00 |
| 100+ | Dhs. 13.85 | Dhs. 1,385.00 |
| N+ | Dhs. 2.77 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS10PHG - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone haute vitesse IDT71V416VS10PHG de Renesas Electronics Corporation (4 Mbit) est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation mémoire de 256 Ko x 16, ce composant assure un stockage de données fiable et à faible latence pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation flexible de la mémoire : l’interface parallèle 256 Ko x 16 simplifie l’intégration
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Conception pour montage en surface : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé
- Produit sous licence : documentation complète du fabricant et traçabilité garanties
Applications
Idéal pour la mise en mémoire tampon à haute vitesse, la mémoire cache, les systèmes d'acquisition de données, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau et les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable.
Pourquoi choisir notre distributeur agréé ?
Nous fournissons des composants Renesas authentiques avec une traçabilité complète, un support technique, des conceptions de référence et une disponibilité tout au long du cycle de vie afin de protéger votre investissement et d'assurer la continuité de votre programme.
Spécifications complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | Tube |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
IDT71V416VS10PHG.pdf