Renesas Electronics Corporation IDT71V416VS10PHG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.43 | Dhs. 15.43 |
| 15+ | Dhs. 14.96 | Dhs. 224.40 |
| 25+ | Dhs. 14.63 | Dhs. 365.75 |
| 50+ | Dhs. 13.82 | Dhs. 691.00 |
| 100+ | Dhs. 12.20 | Dhs. 1,220.00 |
| N+ | Dhs. 2.44 | Price Inquiry |
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IDT71V416VS10PHG8 - SRAM asynchrone haute vitesse 4 Mbit
Le circuit intégré IDT71V416VS10PHG8 de Renesas Electronics est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation en 256 Ko x 16, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications et les applications de mise en mémoire tampon de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès ultra-rapide de 10 ns – Idéal pour le traitement de données à haute vitesse et les applications en temps réel
- Capacité de 4 Mbit (organisation 256K x 16) - Équilibre optimal entre densité et performances
- Fonctionnement à basse tension (3 V - 3,6 V) - Conception écoénergétique réduisant la consommation d'énergie
- Boîtier CMS 44-TSOP II - Format compact pour des conceptions compactes
- Plage de températures industrielles (0 °C à 70 °C) - Fonctionnement fiable dans des environnements exigeants
- Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Qualité et fiabilité Renesas - Par un leader de confiance dans les solutions de mémoire à semi-conducteurs
Applications
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux équipements de réseau, à l'automatisation industrielle, aux dispositifs médicaux, à l'électronique automobile, aux infrastructures de télécommunications et à toute application nécessitant un stockage de données temporaire à haute vitesse avec une garantie de longue durée de vie.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir cette SRAM ? Renesas (anciennement IDT) est réputée pour la fourniture de composants semi-conducteurs bénéficiant d’un support et d’une traçabilité exceptionnels tout au long de leur cycle de vie – des atouts essentiels pour les applications aérospatiales, médicales et industrielles où la disponibilité à long terme est primordiale. Cette SRAM allie une fiabilité éprouvée aux performances requises par votre conception.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |

IDT71V416VS10PHG8.pdf